SiC அடி மூலக்கூறு
விளக்கம்
சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) என்பது குழு IV-IV இன் பைனரி கலவை ஆகும், இது கால அட்டவணையின் குழு IV இல் உள்ள ஒரே நிலையான திட கலவை ஆகும், இது ஒரு முக்கியமான குறைக்கடத்தி.SiC சிறந்த வெப்ப, இயந்திர, இரசாயன மற்றும் மின் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது, இது உயர்-வெப்பநிலை, உயர் அதிர்வெண் மற்றும் உயர்-சக்தி மின்னணு சாதனங்களை தயாரிப்பதற்கான சிறந்த பொருட்களில் ஒன்றாகும், SiC ஐ அடி மூலக்கூறு பொருளாகவும் பயன்படுத்தலாம். GaN அடிப்படையிலான நீல ஒளி-உமிழும் டையோட்களுக்கு.தற்போது, 4H-SiC சந்தையில் முக்கிய தயாரிப்புகளாக உள்ளது, மேலும் கடத்துத்திறன் வகை அரை-இன்சுலேடிங் வகை மற்றும் N வகையாக பிரிக்கப்பட்டுள்ளது.
பண்புகள்
| பொருள் | 2 அங்குல 4H N-வகை | ||
| விட்டம் | 2 இன்ச் (50.8 மிமீ) | ||
| தடிமன் | 350+/-25um | ||
| நோக்குநிலை | அச்சு 4.0˚ நோக்கி <1120> ± 0.5˚ | ||
| முதன்மை பிளாட் நோக்குநிலை | <1-100> ± 5° | ||
| இரண்டாம் நிலை பிளாட் நோக்குநிலை | முதன்மை பிளாட்டில் இருந்து 90.0˚ CW ± 5.0˚, Si ஃபேஸ் அப் | ||
| முதன்மை பிளாட் நீளம் | 16 ± 2.0 | ||
| இரண்டாம் நிலை பிளாட் நீளம் | 8 ± 2.0 | ||
| தரம் | உற்பத்தி தரம் (பி) | ஆராய்ச்சி தரம் (R) | போலி தரம் (D) |
| எதிர்ப்பாற்றல் | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm |
| நுண்குழாய் அடர்த்தி | ≤ 1 மைக்ரோபைப்புகள்/ செமீ² | ≤ 1 0மைக்ரோபைப்புகள்/ செமீ² | ≤ 30 மைக்ரோபைப்புகள்/ செமீ² |
| மேற்பரப்பு கடினத்தன்மை | Si முகம் CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 nm | N/A, பயன்படுத்தக்கூடிய பகுதி > 75% | |
| டிடிவி | < 8 உம் | < 10um | < 15 உம் |
| வில் | < ± 8 உம் | < ±10um | < ±15um |
| வார்ப் | < 15 உம் | < 20 உம் | < 25 உம் |
| விரிசல் | இல்லை | ஒட்டுமொத்த நீளம் ≤ 3 மிமீ | ஒட்டுமொத்த நீளம் ≤10 மிமீ, |
| கீறல்கள் | ≤ 3 கீறல்கள், ஒட்டுமொத்த | ≤ 5 கீறல்கள், ஒட்டுமொத்த | ≤ 10 கீறல்கள், ஒட்டுமொத்த |
| ஹெக்ஸ் தட்டுகள் | அதிகபட்சம் 6 தட்டுகள், | அதிகபட்சம் 12 தட்டுகள், | N/A, பயன்படுத்தக்கூடிய பகுதி > 75% |
| பாலிடைப் பகுதிகள் | இல்லை | ஒட்டுமொத்த பகுதி ≤ 5% | ஒட்டுமொத்த பகுதி ≤ 10% |
| மாசுபடுதல் | இல்லை | ||
